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이강욱 SK하이닉스 (KS:000660) PKG개발담당 부사장.(SK하이닉스 제공)
(서울=뉴스1) 김재현 기자 = 이강욱 SK하이닉스(000660) 패키징(PKG) 개발 담당 부사장은 3일 "7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E부터 커스텀(Custom·맞춤형) 성격이 강해질 것으로 예상된다"며 "다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다"고 밝혔다.
이 부사장은 이날 대만 타이베이 난강전시장에서 열린 '이종집적 글로벌 서밋(Heterogeneous Integration Global Summit) 2024'에서 'AI(인공지능) 시대를 위한 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 발표에 나서 "SK하이닉스는 6세대 HBM4와 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있다"며 이렇게 말했다.
HBM은 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시대에 가장 적합하고 우수한 D램으로 꼽힌다. 이 부사장은 "데이터 트래픽이 급증하고 메모리 대역폭 향상 요구가 커지는 가운데 메모리 성능에서 오는 시스템 병목 현상을 극복할 수 있기 때문"이라며 "AI 시스템의 훈련과 추론에도 최적"이라고 말했다.
성장 가능성도 크다. 빅테크들은 AI 서버와 HPC용 메모리로 HBM을 택하고 있다. HBM 세대가 발전하면 AI 서버에 탑재되는 채택 숫자도 늘어나 수요도 점점 많아질 것으로 보인다.
통계로도 확인된다. 2023년부터 2032년까지 생성형 AI 시장은 연평균 27% 성장할 것으로 보이는데, HBM 시장은 2022년부터 2025년까지 이미 연평균 109%의 성장이 예상된다.
현재 시장에 나온 제품은 5세대인 HBM3E 8단·12단이다. 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB의 용량을 지원한다. 6세대 HBM4는 내년 양산 예정이며 12단·16단으로 공급된다.
이 부사장은 "HBM4 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 발전할 것"이라며 "HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용해 성능 및 에너지 효율 향상도 기대된다"고 강조했다.
독자 개발해 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술의 장점도 설명했다. 이 부사장은 "해당 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다"며 "열 방출 면에서도 타 공정과 비교해 30% 이상의 성능 장점을 가진다"고 했다.
SK하이닉스는 현재 HBM3와 HBM3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 양산하고 있다. 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다.
이 부사장은 "16단 제품을 위해 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두 준비하고 있으며 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획"이라며 "HBM4 및 이후 세대 제품 개발 준비 과정 중 대역폭·용량·에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(System in Package) 패키징 등을 포함한 다양한 대응 방안도 검토하고 있다"고 덧붙였다.
