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SK하이닉스의 5세대 고대역폭메모리 'HBM3E' (SK하이닉스 (KS:000660) 제공) ⓒ News1 강태우 기자
(서울=뉴스1) 강태우 기자 = SK하이닉스(000660)가 7세대 고대역폭메모리 'HBM4E'를 오는 2026년 양산에 돌입한다. HBM3E 12단, HBM4에 이어 애초 계획보다 양산 시기를 1년가량 앞당긴 것이다.
13일 업계에 따르면 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 이날 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "그동안 HBM(고대역폭메모리)은 2년 단위로 발전해 왔지만 5세대인 HBM3E 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"며 이같은 로드맵을 밝혔다.
반도체 업계에선 HBM4E는 16단 또는 20단 제품이 될 것으로 보고 있다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 12단은 내년, 16단 제품은 2026년에 양산한다고 밝힌 상태다. SK하이닉스는 맞춤형(커스터마이즈) 제품인 6세대 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 쌓기 위해 하이브리드 본딩 기술도 적용할 수 있다는 입장이다.
하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 적층할 수 있다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4까지는 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용함과 동시에 하이브리드 본딩 기술의 선제적인 검토도 하겠다고 전한 바 있다.
최우진 SK하이닉스 P&T(패키지&테스트) 담당 부사장은 지난 2일 경기 이천에서 열린 기자간담회에서 "HBM3E에 이어 HBM4 12단에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 순조롭게 기술 개발 중"이라며 "이 기술은 16단 제품에도 적용하려 하고 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토하고 있다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 적층 수가 높아질수록 생기는 제품의 성능 한계를 극복하기 위해 새로운 공정을 검토할 가능성도 있다.
김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이다. 하지만 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구할 경우 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해 봐야 할 수 있다"고 설명했다.
한편 업계에선 SK하이닉스가 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램을 처음 적용할 것으로 전망하고 있다. 이를 통해 HBM4E부터는 저장 용량이 크게 늘어날 것으로 예상된다. 지금까지 SK하이닉스는 HBM3E 등에 10나노급 5세대(1b) D램을 활용했다.
