웨이비스는 질화갈륨(GaN) 전력증폭 소자(HEMT. High Electron Mobility Transistor) 양산 기술 국산화에 성공했다. GaN HEMT는 고효율, 고출력 특성을 가지는 반도체 칩으로 짧은 시간 내에 높은 에너지를 발산하는 레이다를 비롯해 감시정찰용 레이더와 5G 통신 장비 내장 부품이다. 회사측 사진제공
[더스탁=고명식 기자] 질화갈륨(GaN) RF 반도체 칩 국산화 기업 웨이비스가 증권 신고서를 제출하고 본격적인 상장 절차에 진입했다. 주관사는 대신증권이며 이번 기업공개를 통해 총 149만주의 신주를 모집한다. 공모 희망가 범위는 11,000원~12,500원으로 상단 기준 공모 조달 규모는 약 186억원이다. 공모 자금은 제품 성능 개선을 위한 설비투자 및 연구개발 자금으로 사용된다.
㈜웨이비스는 전량 수입에 의존하던 전략적 핵심반도체인 GaN RF 반도체 칩 국산화에 성공한 기술 기반 벤처기업이다. 이 같은 기술력을 인정받아 2019년 중소기업 벤처부의 소재·부품·장비 강소기업 100 그리고 2022년 방위사업청의 방산혁신기업100으로 선정됐다. 이 회사의 핵심 기술은 GaN RF 반도체 칩(Bare Die) 및 패키지트랜지스터(Packaged Transistor), 모듈(Module) 등과 그 응용제품의 제조 기술이다.
칩 제조 역량이 없는 팹리스 기업과 달리 웨이비스는 자체 팹(Fab)을 보유하면서 가장 핵심적인 성능을 좌우하는 반도체 칩의 설계 단계부터 최종적인 응용제품 조립 단계까지 고객의 요구에 최적화할 수 있는 경쟁력을 보유하고 있는 것으로 알려져 있다.
웨이비스가 개발한 GaN 전력 트랜지스터. 회사측 사진제공
2022년 매출 47억원 규모에서 2023년 매출 168억원으로 큰 폭의 성장을 이루었다. 올해 상반기 매출은 145억원으로 매출 볼륨은 꾸준히 상승중이다. 영업 손실은 지속되고 있지만 규모는 점차 줄어들고 있다. 2022년 141억원 규모에 이르렀던 영업손실은 지난해 95억원으로 줄었고 올해 상반기 영업손실은 17억원 가량으로 대폭 줄었다.
웨이비스는 2017년 5월 2일 ㈜기가레인으로부터 물적분할해 설립돼 당시 최대주주는 기가레인이었다. 2017년 6월 26일 김정곤 전임 대표이사가 기가레인으로부터 1,020,000주를 주당 3,676원에 취득하면서 최대주주가 기가레인에서 김정곤 전 대표이사로 변경되었다. 얼헤 7월 한민석 대표이사가 취임하면서 새로운 전기를 맡이하고 있다. 자본금 54억원에 발행된 보통주는총 1088만주 규모이며 상환전환 우선주 185만주, 전환 우선주가 52만주 가량이 있다.
2018년 180억원 규모의 시리즈A 투자 유치에 성공하고 GaN RF 전력증폭반도체 칩 (0.4um 공정) S-band 대역 제품 개발을 완료했다. 2019년에는 150억원 규모의 시리즈B, 2020년에는 180억원 규모의 시리즈C, 2022년 180억원 시리즈D, 2023년 145억원 규모의 시리즈E 펀딩을 순차적을 완료했다. 방사청의 방산혁신기업 100대 기업으로 선정된 웨이비스는 지난해 7월 344억원 규모의 호위함 양산부품 공급 계약을 체결하면서 본격적인 매출 발판을 마련했다. 작년 10월 KRX 기술성 평가에서 A 등급을 받으면서 코스닥 상장 가능성을 높였다.
