AI 이끌 차세대 반도체 한눈에…CES에 드러낸 삼성의 자신감 [CES]

CityTimes - [시티타임스=미국/북중남미]

라스베이거스 CES 2024 현장에서 진행된 국내 기자단 DS부문 반도체 전시관 투어 중 환영사를 하고 있는 한진만 삼성전자 (KS:005930) DS부문 미주총괄(DSA) 부사장. (삼성전자 제공)

(라스베이거스=뉴스1) 김민성 기자 = 삼성전자(005930)가 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 가전·IT(정보기술) 박람회 'CES 2024'에서 생성형 AI, 온디바이스(내장형) AI용 D램 등 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 반도체 제품을 대거 선보였다.

삼성전자 DS(반도체) 부문은 해마다 CES에 참가해 글로벌 IT 고객 및 파트너들에게 최신 제품을 소개하고 있다.

라스베이거스 앙코르 호텔 내 전시공간에 가상 반도체 팹 설치하고 △서버 △PC·그래픽 △모바일 △오토모티브 △라이프스타일 등 5대 응용처별로 공간을 만들었다.

이번에 전시된 고용량 라인업인 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램은 같은 패키지 사이즈에서 실리콘 관통 전극(TSV) 기술 없이도 128기가바이트(GB) 고용량 모듈 구성을 할 수 있다. TSV까지 사용한다면 최대 1테라바이트(TB) D램 모듈을 구현할 수 있어 메모리 기술의 한계를 극복한 제품으로 평가받는다.

AI 시대를 이끌 클라우드용 솔루션인 HBM(고대역폭메모리)3E '샤인볼트'도 전시됐다. 이전 세대인 HBM3 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선된 제품이다.

온디바이스 AI 시장 겨냥한 △8.5Gbps 'LPDDR5X D램 △LPDDR5X-PIM △LLW D램 등을 공개하며 시장 선점에 대한 포부를 드러냈다.

초당 8.5Gb를 지원하는 LPDDR5X D램은 14나노미터(1나노는 10억 분의 1m) 공정과 하이케이 메탈 게이트 공정을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 개선했다. 하이케이 메탈 게이트는 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술이다.

LPDDR5X-PIM은 메모리 병목현상을 개선하기 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부에서 구현하는 PIM(Processing-in-Memory) 기술을 LPDDR에 적용한 제품이다. LPDDR5X D램보다 성능이 8배 높아졌고 전력은 50% 절감됐다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 차세대 고성능 메모리 산업이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것이라고기대했다. 그는 HBM 시장에 대해 "(메모리 반도체) 시황이 어렵더라도 앞으로도 캐펙스(Capex·시설투자)를 유지하면 경쟁력은 올라갈 것"이라며 향후 시설투자를 이어가겠다는 의지를 드러냈다.

이어 삼성전자가 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 공장에 대해서도 "미국정부와 협상을 진행하고 있고 조만간 구체적인 일정을 공개하게 될 것"이라고 했다.

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