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젠슨 황 엔비디아 (NASDAQ:NVDA) CEO가 'GTC 2024' 삼성전자 (KS:005930) 부스를 찾아 HBM3E 12H 제품에 사인을 했다. (한진만 삼성전자 부사장 SNS 갈무리)
(서울=뉴스1) 강태우 기자 = 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 주최한 '엔비디아 GTC 2024' 행사에 참가한 삼성전자(005930) 부스를 찾아 5세대 고대역폭메모리 'HBM3E'에 대한 관심을 드러냈다.
21일 한진만 삼성전자 DS(반도체)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)를 통해 "젠슨 황, 만나지 못해 아쉽다. 우리 부스에 들러줘서 고맙다"며 삼성 HBM3E 12단 실물 제품에 젠슨 황이 직접 사인한 사진을 게재했다.
그러면서 그는 "삼성의 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘게 생각한다"며 "삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 전했다.
삼성전자의 HBM3E는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공하는 제품이다. 이미 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 올해 상반기 양산할 예정이다.
특히 이번 젠슨 황의 방문은 앞서 19일(현지시간) 그가 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 "우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트하고 있다. 기대가 크다"고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다.
현재 SK하이닉스는 이달 말부터 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E(8단·24GB) D램을 엔비디아에 납품할 것으로 알려졌다.
앞선 황 CEO의 발언과 부스 방문을 미뤄 볼 때 삼성의 HBM3E 역시 엔비디아 인공지능(AI) 가속기에 탑재될 가능성이 더욱 높아진 것으로 관측된다.
한편 SK하이닉스(KS:000660) 역시 이번 행사에서 전시관을 마련하고 현재 제품화 중인 HBM3E 12단(36GB) 제품을 선보였다. 삼성전자가 최근 업계 최초로 개발했다고 공개한 제품이다. HBM3E 12단 제품은 양사 모두 상반기 양산을 계획하고 있다.
젠슨 황 엔비디아 CEO가 'GTC 2024' 삼성전자 부스를 찾아 관계자들과 기념사진을 촬영하고 있다. (한진만 삼성전자 부사장 SNS 갈무리)
