[알파경제=차혜영 기자] 삼성전자가 업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.
삼성전자는 이로써 낸드 플래시 시장에서의 기술 리더십을 한층 더 강화했다.
이번 9세대 V낸드 '1Tb TLC'는 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조로 기존 세대 대비 비트 밀도를 약 1.5배 증가시켰다.
삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 실현했다.
이 기술은 '채널 홀 에칭' 기술을 적용해 생산성도 향상시켰고 몰드층을 순차적으로 적층한 후 전자가 이동하는 채널 홀을 한 번에 만드는 고도화된 공정이다.
이번 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'을 적용해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다.
또 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력을 약 10% 개선해 환경 경영 및 에너지 비용 절감에 기여할 것으로 예상된다.
삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하는 고성능 SSD 시장 확대를 계획 중이다.
허성회 삼성전자 (KS:005930) 메모리사업부 Flash개발실장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량, 고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며, "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 전했다.
삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정이다.
삼성전자 관계자는 알파경제에 "나중에 나온 버전의 낸드가 똑같은 면적에서 더 많은 데이터를 저장하고 속도도 빠르다"면서 "더 진화되었다기 보다는 낸드 방식의 차이다"라고 설명했다.
이어 "저장의 안정성과 수명면에서는 적은 양의 데이터가 저장될수록 뛰어나다라는 시각도 있어, 안정성을 고려해 이전 버전을 선호하는 고객도 있다"고 말했다.