[알파경제=차혜영 기자] SK하이닉스와 TSMC가 손을 잡고, 6세대 HBM(HBM4) 개발에 총력전을 펼친다.
SK하이닉스는 19일 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 밝혔다.
양사는 최근 대만 타이페이에서 이 같은 내용을 포함한 양해각서(MOU)를 체결했다. 특히 SK하이닉스는 TSMC는 오는 2026년 양산 예정인 HBM4 개발에 나선다.
SK하이닉스 (KS:000660) 관계자는 알파경제에 “TSMC와 힘을 합쳐 HBM 기술 혁신을 이끌어 낼 것”이라면서 “고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다.
또 “2026년 양산 예정이라면 일반적으로 1년전 시제품이 나오고, 거래처에 제품을 보내 퀄 테스트 통과를 거친다”면서 “양해각서를 체결했고, 구체적인 타임스케줄은 아직 나오지 않았다”고 말했다.
양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다.
HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다.
이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형(Customized) HBM을 생산한다는 계획이다.
이와 함께 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS®* 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다.
김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업(Open collaboration)에도 속도를 낼 것”이라며 “앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼(Custom Memory Platform) 경쟁력을 높여 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다. <자료제공=SK하이닉스>