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삼성전자, 시스템반도체에 2030년까지 171조원 투자한다

입력: 2021- 05- 14- 오전 02:11
수정: 2021- 05- 13- 오후 05:44
© Reuters.  삼성전자, 시스템반도체에 2030년까지 171조원 투자한다

© Reuters. 삼성전자, 시스템반도체에 2030년까지 171조원 투자한다

문재인 대통령이 참석한 가운데 2019년 4월 30일 삼성전자 (KS:005930) 화성사업장 '시스템반도체 비전 선포식'이 열렸다. [사진=청와대 페이스북]

[인포스탁데일리=박상인 기자] 삼성전자가 '시스템 반도체 비전 2030' 달성을 위해 기존 133조원에서 171조원으로 투자를 대폭 확대하고 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가한다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 2030년까지 시스템 반도체 분야에 대한 이같은 추가 투자 계획을 발표했다.

삼성전자는 시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 2019년 4월 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 더해 2030년까지 총 171조원을 투자한다고 밝혔다.

삼성전자 측은 "비전 선포식 이후 지난 2년 간 삼성전자를 비롯한 반도체 제조 기업과 팹리스, 공급망의 핵심인 소재·부품·장비 업체, 우수 인재 육성을 담당하는 학계 등 우리나라 반도체 생태계 주요 구성원 간의 상호 협력이 활성화되면서 비전 달성을 위한 기반도 착실히 다져졌다"고 강조했다.

삼성전자는 종합 반도체 강국 실현을 위한 'K-반도체 벨트 전략'과 관련, 2022년 하반기까지 평택 3라인(P3)을 완공해 이를 적극적으로 지원한다는 계획이다.

평택 3라인은 클린룸 규모가 축구장 25개 크기로, 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹이다. 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노미터 D램과 5나노미터 로직 제품을 양산할 수 있으며, 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 ▲EUV 기반 차세대 D램 ▲메모리와 시스템 반도체를 융합한 'HBM-PIM' ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가해 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.

김기남 삼성전자 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장서겠다"고 강조했다.

삼성전자는 국내 반도체 생태계 육성을 위한 상생협력과 지원∙투자도 강화하기로 했다.

먼저 삼성전자는 시스템 반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 지식재산(IP) 호혜 제공, 시제품 생산 지원 등 다양한 상생 활동을 확대할 방침이다. 

특히 파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커지고, 많은 팹리스 창업이 이뤄지는 만큼 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드가 되는 부가 효과를 유발하는 데 집중할 방침이다.

김 부회장은 "대한민국의 반도체 산업이 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때"라며 "우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것"이라고 강조했다.

박상인 기자 si2020@infostock.co.kr

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