[단독] 삼성전자, 22개월 만에 16나노 D램 수율 90%대 확보...차세대 D램 '초초격차' 본격화

[인포스탁데일리=김종효 선임기자] 삼성전자가 수율 관리에 어려움을 겪었던 차세대 D램 16나노 D램에 대한 대량생산 필수 생산효율인 수율 90% 이상을 달성한 것으로 확인됐다. 

19일 삼성전자와 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 최고사양인 D램 16나노(1Z) 수율 90%를 넘겨 본격적인 '초초격차' 테크마이크레이션 기반을 확보한 것으로 확인됐다. 

이번에 90% 수율을 확보한 D램 16나노는 세계 최초로 D램에서 EUV(극자외선) 광원을 1레이어 사용하고 레이저 어닐링 공정을 이용하는 것으로 알려졌다.

삼성전자 (KS:005930) 내부 사정에 밝은 한 관계자는 인포스탁데일리에 “초도 양산이 작년 1월부터 시작되었는데 수율을 잡는데 상당한 어려움이 있었다”면서 “이번 수율 확보 성공으로 17나노와 18나노 D램에서 일부 불량으로 서버용 D램 시장에서 고전했던 아픔을 일거에 지우게 됐다”고 말했다. 

실제로, D램의 양산을 위해서는 90% 이상의 수율이 유지되어야 한다. 이번 수율 확보 성공으로 적극적인 공정 이동과 함께 차세대 서버용 D램 시장에서 경쟁사를 압도할 수 있게 된 것으로 알려졌다. 

삼성전자 16나노 공정에서는 DDR5와 LP DDR5를 생산할 예정이다. 해당 공정에서 생산될 삼성전자 차세대 D램 DDR5는 저전력과 고대역, 고밀도의 특성을 가져 데이터베이스나 서버, 인공지능, 네트워킹에 적용돼, 자동차와 스마트폰, 태블릿, AR/VR 분야에 적합하다.  

16GB LPDDR5.(이미지=삼성전자)

16GB LPDDR5. 사진=삼성전자

또, 삼성전자 16나노 공정에서 생산되는 제품은 속도가 6400MHz을 넘어서면서 국제반도체표준협회의 기준까지 충족시킨 것으로 전해진다.

최양오 현대경제연구원 고문은 “삼성전자의 이번 16나노에 대한 완벽한 수율 확보는 5G를 이끌어갈 차세대 메모리 시장에서 초격차의 지위를 누리게 되었다”며 “15나노 D램 양산에서도 초격차를 이루게 돼, 앞으로 몇 년 간 하이엔드 D램 시장에서 기술적 우위는 물론, 가격우위라는 두 마리 토끼를 다 잡게 됐다”고 분석했다. 

아울러 삼성전자는 2021년 16나노 전환을 100K 이상 진행할 것으로 파악되고 있으며, 15나노(1A)의 초도 양산도 내년 초 시작할 예정이다.